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LED結晶成長装置一覧

No.1 MOCVD装置

カテゴリ

  • LED結晶成長

概要

LED成長過程リアルタイムX線評価MOCVD装置

  • LEDエピタキシャル膜の成長に使用
  • 高温成長対応可(~1400℃)
  • 成長中のXRD測定が可能(結晶構造の解析)
  • 基板サイズ:2inch×3枚

MOCVD装置用in-situモニタ装置

  • 半導体構造成長中に基板成長速度、膜厚、基板反り等を測定し、最適な成長条件の制御に使用

LED成長過程リアルタイムX線評価装置

  • MOCVD成膜装置内の基板上に形成された薄膜をX線反射率測定による膜厚分析、およびX線回折装置による結晶配向性のin-situ測定が可能な分析評価装置

主な仕様

対応ウエハサイズ  2inch×3、 3inch×1、 4inch×1
ヒーター温度 1400 ℃
その場観察装置  Laytec epiTT Two(反射率、曲率、温度の測定)
In-situ X-ray(反射率、格子定数、熱膨張)
使用原料  TMGa×2、TMIn×2、TEGa×1、TMA×1、Et-Cp2Mg、TMSi×1、NH3×2、N2、H2

No.2 有機金属気相成長MOCVD装置

カテゴリ

  • LED結晶成長

概要

  • LEDエピタキシャル膜の成長に使用
  • シャワーへッドノズルを使用
  • Argasシステムによるサセプタ面内の温度モニタリングが可能
  • 2inch×3枚同時成長が可能
  • 装置サイズが非常にコンパクト

主な仕様

対応ウェハサイズ 2inch×3、3inch×1、4inch×1
ヒーター温度 1400℃
その場観察装置 
  • Laytec(成長温度及び表面の反射率測定)
  • Argas(サセプタの温度マッピング)
  • Epison(原料使用量測定)
使用原料  TMGa×2、TMAl×2、TMIn×2、TEGa×1、Et-CP2Mg×1、TMSi×1、NH3、N2、H2

No.11 PLと透過率ウェハPLマッピング装置

カテゴリ

  • LED結晶成長

概要

  • LEDウェハのフォトルミネセンス(PL)特性や、エピ膜の膜厚を透過光により高速に測定し、マッピング可能
  • 高感度分光器

主な仕様

対応ウェハサイズ 2、3、4inch
マッピング間隔 0.04mm(0.1mm精度)
透過光による測定 精度 1%以内
再現性 10nm以内
PL測定 測定項目 ピーク波長/相対積分強度/相対ピーク強度/半値幅(FWHM)/主波長(CIE波長)
波長解像度 ~0.3nm(ただしUVNIR-HISENSでは~0.7nm、NIRでは~2.0nm)
光強度精度 3% (相対ピーク強度/相対積分強度・YWafer強度校正機能使用時)
最小半値幅 ~1.5nm

No.12 微分干渉顕微鏡

カテゴリ

  • 基板作製
  • LED結晶成長
  • LEDデバイスプロセス
  • LED実装及び評価

概要

  • LED結晶の構造、表面形状および蛍光特性を評価することが可能
  • 観測物の凹凸情報が定性的直観的に判る
  • CCDカメラにて画像を取り込み測長等の解析が可能

主な仕様

型式 LV150
(落射照明専用機)
LV100D
(落射照明/透過照明両用機)
観察法 明視野・暗視野・微分干渉観察タイプ
鏡筒 三眼鏡筒(デジカメ装着可能)
ステージ移動量 150×150mm
(ウェハホルダー/ESDプレート)
150×100mm
(ガラスプレート)
総合倍率 50、100、200、500、1000×

No.13 薄膜材料評価用X線回折装置

カテゴリ

  • LED結晶成長

概要

  • X線回折法により大面積サンプルにおいてLEDの原子レベルでの界面急俊性を短時間に評価すること可能
  • 多機能高精度水平ゴニオメーター内蔵
  • X線回折法により薄膜の結晶性評価が可能

主な仕様

対応ウェハサイズ  2inch、3inch、(4inch)
測定モード ロッキングカーブ測定(In-planeでの測定も可能)、
反射率測定、逆格子空間マッピング測定
測定データの解析方法 Global Fit 拡張ロッキングカーブソフトウェア
(パラレルテンパリング法)
モノクロメータ結晶 Ge(400)2結晶、Ge(400)4結晶
波長単色性 Kα1

No.15 3CCDカラーコンフォーカル顕微鏡

カテゴリ

  • LED結晶成長
  • LEDデバイスプロセス

概要

  • GaN系LED構造結晶の構造観察および結晶形状測定を行うことが可能
  • ピエゾ素子を用いたことにより、Z方向(高さ)の分解能が1nmとAFM並の平坦性精度を保障
  • 焦点移動メモリー方式

主な仕様

主な仕様 コンフォーカルモード 干渉計モード
Z分解能 100nm 1nm
解像度
対物レンズ倍率 MAX100倍 MAX50倍

No.17 カソードルスミネッセンス観察分析システム

カテゴリ

  • LED結晶成長

概要

  • 高電流のフィールドエミッション電子銃を備え、高解像度にて、結晶欠陥の観察が可能

主な仕様

主な仕様 SEM仕様
対応ウエハサイズ ~4inch
加速電圧 0.5~30kV
電子銃 ZrO/W ショットキーエミッション型電子銃
装置特徴 5軸モータステージ X-Y移動の制御はトラックボールにて可能。
Z軸移動時にフォーカスが自動追従。
ExB搭載 二次電子検出器の検出効率を上げる際に生じやすい一次電子の軸ズレを防止し、高い検出効率を確保。
OXFORD SEMの高い分解能を保持したままでのCL検出が可能。
INSTRUMENTS社製
CL mapping装置搭載
非常に明瞭な像による各種評価を実現。

No.19 ナノインプリント装置

カテゴリ

  • LED結晶成長

概要

  • 高スループットにて2種類の方法でナノパターン形成が可能
  • ドライエッチングとの組み合わせで、半導体ナノ構造の作製ができる

主な仕様

対応ウエハサイズ ~4inch
対応材料 熱可塑性樹脂・UV硬化性樹脂
装置特徴 熱式/UV式の切り替えが容易
  • 樹脂の特性によって装置を熱印加方式・UV照射方式に切り替えることが可能。
  • 熱式/加熱最高温度:250℃,最大荷重力:50kN
  • UV式/波長:365nm,照度:30mW/cm2