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LEDデバイスプロセス装置一覧

No.3 スパッタリング装置

カテゴリ

  • LEDデバイスプロセス

概要

  • LEDや半導体レーザーに必要な誘導体や金属の製膜に使用
  • 広範囲に膜厚分布が良いスパッタ源を標準搭載(170±5%(SiO2))
  • 低温でも高温でも成膜が可能
  • クリーンなサイドスパッタとロードロック室を装備

主な仕様

主な仕様 i-Miller
スパッタ方式  サイドスパッタ
スパッタ源 φ3inch×3
ホルダーサイズ φ200
到達圧力 5×10-4Pa (2×10-5Pa)
排気時間(10分で) 7×10-3Pa
排気操作方式 自動 (全自動)
スパッタ操作方法 手動(全自動)
電源 RF500W(DC1kw)
加熱温度 300℃
エッチング RF500W
本体寸法 W1250×D811×H1582

No.4 マスクアライナー装置

カテゴリ

  • LEDデバイスプロセス

概要

  • LEDや半導体レーザーの電極パターニングの形成に使用
  • μmオーダーの微細パターニングが可能
  • フィードバック回路により高い露光量再現性を実現

主な仕様

対応ウェハサイズ 2、3、4inch(不定形にも対応可)
照度仕様 照度径 130mm
照度 13mW/cm2
照度分布 ±5μm
装置特徴   マルチミラー光源による光の回折効果を低減

No.5 高真空蒸着装置

カテゴリ

  • LEDデバイスプロセス

概要

  • 高真空下で、金属を昇華させ、ターゲットに製膜する装置。LEDの電極形成に用いる。
  • 12枚用ホルダで多数枚処理が可能
  • 金属は7ターゲット同時投入可能で多層膜成膜も容易

主な仕様

ウェハホルダー 自転型プラネタリ方式(12スロット)
対応ウェハサイズ 2、3、4inch(不定形にも対応可)
成膜精度 設定膜厚±5%
装置特徴 ターゲット搭載数 EB源:4スロット、抵抗加熱源:3スロット
真空排気能力 クライオポンプ搭載:1E-4[Pa]まで約30[min]で到達

No.7 赤外線ランプアニール装置

カテゴリ

  • LEDデバイスプロセス

概要

  • LED素子及び成膜素子を急加速熱によってアニール処理を行うこと可能
  • ランプ出力を独立制御することにより面内における温度均一性が高い
  • 上部下部ランプ加熱方式

主な仕様

対応ウェハサイズ 2、3、4inch(不定形にも対応可)
昇温仕様 温度範囲:RT~1100℃
昇温速度:30℃/sec
均熱精度:ΔT=10℃
装置特徴 搭載ガスライン
N2:2L/min(MAX)、O2:2L/min(MAX)

No.12 微分干渉顕微鏡

カテゴリ

  • 基板作製
  • LED結晶成長
  • LEDデバイスプロセス
  • LED実装及び評価

概要

  • LED結晶の構造、表面形状および蛍光特性を評価することが可能
  • 観測物の凹凸情報が定性的直観的に判る
  • CCDカメラにて画像を取り込み測長等の解析が可能

主な仕様

型式 LV150
(落射照明専用機)
LV100D
(落射照明/透過照明両用機)
観察法  明視野・暗視野・微分干渉観察タイプ
鏡筒 三眼鏡筒(デジカメ装着可能)
ステージ移動量 150×150mm
(ウェハホルダー/ESDプレート)
150×100mm
(ガラスプレート)
総合倍率 50、100、200、500、1000×

No.14 触針式表面形状測定器

カテゴリ

  • LEDデバイスプロセス

概要

  • 直径150mm以下の基板上の膜厚段差、表面粗さ、うねりなどの表面形状を高精度に測定
  • 高剛性のキャストフレームと実績のあるセンサヘッドで、安定した測定再現性を実現
  • 測定距離は55mmまで設定でき、段差以外に基板の表面粗さやうねりの解析も可能
  • 触針の交換は、専用治具を利用して簡単

主な仕様

主な仕様 手動ステージタイプ
垂直分解能/
測定レンジ
0.1nm/6.5μm、1nm/65.5μm、8nm/524μm
(オプション:16nm/1mm)
膜厚測定再現性 1σ = 0.6nm以下
測定距離 50μm~55mm
サンプリングデータ数 最大120,000点
触針圧 1~15mg (オプション:0.03~15mg)
サンプルステージ直径 150mm
最大サンプル厚 85mm
ステージ移動範囲 X:+75mm、-25mm 手動
Y:±50mm 手動
θ:360°手動
サンプル観察 カラーズームカメラ : 視野0.67~4.29mm(±10%)
17型モニタ上の倍率 : 514倍~80倍(±10%)
操作環境(OS) Microsoft® WindowsXP (英語版)

No.15 3CCDカラーコンフォーカル顕微鏡

カテゴリ

  • LED結晶成長
  • LEDデバイスプロセス

概要

  • GaN系LED構造結晶の構造観察および結晶形状測定を行うことが可能
  • ピエゾ素子を用いたことにより、Z方向(高さ)の分解能が1nmとAFM並の平坦性精度を保障
  • 焦点移動メモリー方式
主な仕様 コンフォーカルモード 干渉計モード
Z分解能 100nm 1nm
解像度
対物レンズ倍率 MAX100倍 MAX50倍