文字サイズ
LED共同研究センター概要

ホーム > 装置・料金一覧 > LED実装及び評価装置一覧

LED実装及び評価装置一覧

No.8 片面高速ラッピング装置

カテゴリ

  • LED実装及び評価

概要

  • ウェハの鏡面仕上げを行う装置
  • 数種のダイヤモンド砥粒を使い分けることにより、非常に高い表面平坦性が確保できる
  • 荷重調整により、安定した研磨レートを実現

主な仕様

対応ウェハ材質 Sapphire、SiC、Si
対応ウェハサイズ 2、3、4inch(不定形にも対応可)
保障精度 設定膜厚±3μm以内
装置特徴 300mmφ・錫定盤 大型定盤仕様により大型ウェハに対して、非常に面内分布均一性が向上
荷重制御 ワークのサイズに合わせた、加工時の印可荷重を設定可能
ダイヤモンドスラリー 目標加工精度に応じてスラリー粒径を選択可能

No.9 横型平面研削装置

カテゴリ

  • LED実装及び評価

概要

  • LED基板を研削し、膜厚調整を行う。実装工程他各種検討に必要不可欠な装置である
  • ダイヤモンド砥石を用い、Sapphire、SiC等を容易に研削可能
  • 間欠送り機構により難削材に対してもダメージを抑えた加工を実現
  • ゼロタッチモード搭載で、非常に高い研削量制御性を確保

主な仕様

対応ウェハ材質 Sapphire、SiC、Si
対応ウェハサイズ 2、3、4inch(不定形にも対応可)
保障精度 設定膜厚±10μm以内
装置特徴 ZERO touchシステム 砥石とワーク接触時の付加を検知し、加工開始点を補正
⇒設定加工量に対し、高精度な加工を実現
間欠送り ワーク送りを間欠化し、ワークへのダメージを軽減

No.10 Sapphire・SiCウェハ切断加工用レーザスクライブ装置

カテゴリ

  • LED実装及び評価

概要

  • LED素子のチップ化を行う装置で、従来のダイヤモンド刃型のタイプに比べ、ダメージフリー・低輝度低下率での加工が可能
  • 高出力YAGレーザーを用い、高速度・高精度加工が可能
  • 8inchホルダーによって10mm2角~6inchウェハまで様々なサイズに対応
  • 形状認識システムによる操作性・スループットの向上を実現

主な仕様

対応ウェハ材質 Sapphire、SiC、Si
対応ウェハサイズ 2、3、4inch(不定形にも対応可)
加工精度 加工深さ:約50μm
加工線幅:約30μm
装置特徴 オートアライメント 形状認識システムによる高精度・高スループット加工が可能
バッチ処理 ワークカセット3個投入可能(ウェハ25枚/カセット)
加工速度 高出力YAGレーザーにより100mm/secの加工速度

No.12 微分干渉顕微鏡

カテゴリ

  • 基板作製
  • LED結晶成長
  • LEDデバイスプロセス
  • LED実装及び評価

概要

  • LED結晶の構造、表面形状および蛍光特性を評価することが可能
  • 観測物の凹凸情報が定性的直観的に判る
  • CCDカメラにて画像を取り込み測長等の解析が可能

主な仕様

型式 LV150
(落射照明専用機)
LV100D
(落射照明/透過照明両用機)
観察法  明視野・暗視野・微分干渉観察タイプ
鏡筒 三眼鏡筒(デジカメ装着可能)
ステージ移動量 150×150mm
(ウェハホルダー/ESDプレート)
150×100mm
(ガラスプレート)
総合倍率 50、100、200、500、1000×