文字サイズ
LED共同研究センター概要

ホーム > 装置・料金一覧 > 基板作製装置一覧

基板作製装置一覧

No.6 熱処置装置

カテゴリ

  • 基板作製

概要

  • 高周波誘電加熱方式による熱処理装置
  • 結晶、電極の熱処置に使用
  • PCによる制御及びデータの記録が可能
  • 高精度な圧力制御が可能
  • コイル可動可能(成長中に温度勾配の変更可能)
  • 高周波電源が本体内蔵のためコンパクト

主な仕様

対応ウェハサイズ  2、3、4inch
加熱温度  MAX2500℃
雰囲気  真空、Ar、N2、He
到達圧力  1.33×10-3Pa
圧力制御範囲  1~760 Torr (×133Pa)
測温  放射温度計による測温

No.12 微分干渉顕微鏡

カテゴリ

  • 基板作製
  • LED結晶成長
  • LEDデバイスプロセス
  • LED実装及び評価

概要

  • LED結晶の構造、表面形状および蛍光特性を評価することが可能
  • 観測物の凹凸情報が定性的直観的に判る
  • CCDカメラにて画像を取り込み測長等の解析が可能

主な仕様

型式 LV150
(落射照明専用機)
LV100D
(落射照明/透過照明両用機)
観察法  明視野・暗視野・微分干渉観察タイプ
鏡筒 三眼鏡筒(デジカメ装着可能)
ステージ移動量 150×150mm
(ウェハホルダー/ESDプレート)
150×100mm
(ガラスプレート)
総合倍率 50、100、200、500、1000×